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製品

AgGaSe2結晶 — 0.73 µmと18 µmのバンド端

簡単な説明:

AGSe2(AgGaSe2(AgGa(1-x)InxSe2)結晶)は、0.73µmと18µmにバンド端を有します。その有効透過範囲(0.9~16µm)と広い位相整合能力は、様々なレーザー励起によるOPOアプリケーションにおいて優れた可能性を提供します。


製品詳細

製品タグ

製品説明

2.05 µmのHo:YLFレーザーで励起した場合、2.5~12 µmの範囲でチューニングが可能であり、1.4~1.55 µmで励起した場合は1.9~5.5 µmの範囲で非臨界位相整合(NCPM)動作が実現されています。AgGaSe2(AgGaSe)は、赤外CO2レーザー放射用の効率的な周波数逓倍結晶であることが実証されています。
AgGaSe2結晶は、フェムト秒およびピコ秒領域で市販されている同期ポンプ光パラメトリック発振器(SPOPO)と組み合わせて動作させることで、中赤外領域における非線形パラメトリックダウンコンバージョン(差周波発生、DGF)に効果的であることが実証されています。中赤外非線形AgGaSe2結晶は、市販されている結晶の中でも最も優れた性能指数(70 pm2/V2)を有しており、これはAGS結晶の同等品の6倍に相当します。AgGaSe2は、いくつかの特定の理由から他の中赤外結晶よりも優れています。例えば、AgGaSe2は空間ウォークオフが低く、特定の用途(成長方向やカット方向など)に合わせて処理するのが容易ではありませんが、非線形性が大きく、透過領域が同等です。

アプリケーション

● COおよびCO2レーザーにおける第二高調波の発生
● 光パラメトリック発振器
● 17 mkm までの中間赤外線領域に対応するさまざまな周波数ジェネレーター。
● 中赤外領域における周波数混合

基本プロパティ

結晶構造 正方晶系
セルパラメータ a=5.992Å、c=10.886Å
融点 851℃
密度 5.700 g/cm3
モース硬度 3-3.5
吸収係数 <0.05 cm-1 @ 1.064 µm
<0.02 cm-1 @ 10.6 µm
相対誘電率
@ 25 MHz
ε11s=10.5
ε11t=12.0
熱膨張
係数
||℃: -8.1 x 10-6 /℃
⊥C: +19.8 x 10-6 /°C
熱伝導率 1.0 W/M/°C

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