Co2+: MgAl2O4 可飽和吸収体パッシブ Q スイッチ用の新材料
製品説明
3.5 x 10-19 cm2 の高い吸収断面積により、フラッシュ ランプとダイオード レーザー ポンピングの両方でキャビティ内集束を行わずに Er:ガラス レーザーの Q スイッチングが可能になります。励起状態の吸収が無視できるため、Q スイッチのコントラストが高くなります。つまり、初期 (小信号) と飽和吸収の比が 10 を超えます。最後に、結晶の優れた光学的、機械的、熱的特性により、コンパクトな設計が可能になります。このパッシブ Q スイッチを備えた信頼性の高いレーザー光源。
電気光学式 Q スイッチの代わりにパッシブ Q スイッチまたは可飽和吸収体を使用して高出力レーザー パルスを生成すると、デバイスのサイズが縮小され、高電圧電源が不要になります。スピネルと呼ばれる強くて丈夫な結晶は、美しく磨き上げられます。追加の電荷補償イオンがなければ、コバルトはスピネルホスト内のマグネシウムを簡単に置き換えることができます。フラッシュランプとダイオードレーザーの両方のポンピングでは、Er:ガラスレーザーの高い吸収断面積(3.5×10-19 cm2)により、キャビティ内集束なしでQスイッチが可能になります。
平均出力電力は 580 mW で、パルス幅は 42 ns と低く、吸収ポンプ電力は 11.7 W です。単一の Q スイッチ パルスのエネルギーはおよそ 14.5 J と計算され、ピーク電力は 346 W でした。約40kHzの繰り返し速度で。また、Co2+:LMA のパッシブ Q スイッチング動作のいくつかの分極状態が調べられました。
基本特性
式 | Co2+:MgAl2O4 |
結晶構造 | キュービック |
向き | |
表面 | フラット/フラット |
表面品質 | 10-5 SD |
表面平坦度 | <ʎ/10 @ 632.8 nm |
ARコーティングの反射率 | <0.2 % @ 1540 nm |
ダメージ閾値 | >500 MW / cm 2 |
直径 | 標準:5 ~ 10mm |
寸法許容差 | +0/-0.1mm |
伝染 ; 感染 | 標準:0.70、0.80、0.90@1533nm |
吸収断面積 | 3.5×10^-19 cm2 @ 1540 nm |
並列度エラー | <10 秒角 |
直角度 | <10分角 |
保護面取り | <0.1 mm x 45 ° |
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