Nd:YVO4 –ダイオード励起固体レーザー
製品説明
Nd:YVO4は、Nd:YVO4と周波数逓倍結晶の組み合わせにより、強力で安定した赤外、緑色、青色レーザーを生成できます。よりコンパクトな設計と単一縦モード出力が求められる用途において、Nd:YVO4は他の一般的なレーザー結晶に比べて特に優れた利点を発揮します。
Nd:YVO4の利点
● 低い発振閾値と高いスロープ効率
● レーザー波長における大きな誘導放出断面積
● 広い励起波長帯域にわたる高い吸収
● 光学的に一軸性と大きな複屈折性により偏光レーザーを放射する
● 励起波長への依存度が低く、シングルモード出力になりやすい
基本プロパティ
| 原子密度 | 約1.37x1020原子/cm2 |
| 結晶構造 | ジルコン正方晶、空間群 D4h、a=b=7.118、c=6.293 |
| 密度 | 4.22 g/cm2 |
| モース硬度 | ガラスのような、4.6〜5 |
| 熱膨張 係数 | αa=4.43x10-6/K、αc=11.37x10-6/K |
| 融点 | 1810±25℃ |
| レーザー波長 | 914nm、1064nm、1342nm |
| 熱光学 係数 | dna/dT=8.5x10-6/K、dnc/dT=3.0x10-6/K |
| 誘導放出 断面 | 25.0x10-19 cm2、@1064 nm |
| 蛍光 一生 | 90 ms（2 atm% Ndドープの場合は約50 ms） @ 808 nm |
| 吸収係数 | 31.4 cm-1 @ 808 nm |
| 吸収長 | 0.32 mm @ 808 nm |
| 本質的損失 | 0.1% cm-1未満、@1064 nm |
| ゲイン帯域幅 | 0.96 nm (257 GHz) @ 1064 nm |
| 偏光レーザー 排出 | 光軸（c軸）に平行 |
| ダイオードポンプ 光から光へ 効率 | > 60% |
| セルマイヤー方程式（純粋なYVO4結晶の場合） | no2(λ) =3.77834+0.069736/(λ2 - 0.04724) - 0.0108133λ2 |
| no2(λ) =4.59905+0.110534/(λ2 - 0.04813) - 0.0122676λ2 |
技術的パラメータ
| Ndドーパント濃度 | 0.2～3気圧% |
| ドーパント許容度 | 濃度10%以内 |
| 長さ | 0.02～20mm |
| コーティング仕様 | AR @ 1064nm、R< 0.1% & HT @ 808nm、T>95% |
| HR @ 1064nm、R>99.8% & HT@ 808nm、T>9% | |
| HR @ 1064 nm、R>99.8%、HR @ 532 nm、R>99%、HT @ 808 nm、T>95% | |
| オリエンテーション | aカット結晶方向（+/-5℃） |
| 寸法公差 | +/-0.1mm(標準)、ご要望に応じて高精度+/-0.005mmも提供可能です。 |
| 波面歪み | 633nmで<λ/8 |
| 表面品質 | MIL-O-1380Aに基づく20/10スクラッチ/ディグ以上 |
| 並列処理 | 10秒角未満 |
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