Nd:YVO4 – ダイオード励起固体レーザー
製品説明
Nd:YVO4 は、Nd:YVO4 と周波数 2 倍化結晶の設計により、強力で安定した IR、緑色、青色レーザーを生成できます。よりコンパクトな設計と単一縦モード出力が必要なアプリケーションでは、Nd:YVO4 が他の一般的に使用されるレーザー結晶に比べて特別な利点を示します。
Nd:YVO4の利点
● 低い発振閾値と高いスロープ効率
● 発振波長における大きな誘導放出断面積
● 広い励起波長帯域幅にわたって高い吸収性
●光学的に一軸で複屈折が大きい偏光レーザーを発光します。
● 励起波長依存性が低く、シングルモード出力になりやすい
基本特性
| 原子密度 | ~1.37x1020 原子/cm2 |
| 結晶構造 | 正方晶ジルコン、空間群 D4h、a=b=7.118、c=6.293 |
| 密度 | 4.22g/cm2 |
| モース硬度 | ガラス状、4.6～5 |
| 熱膨張 係数 | αa=4.43x10-6/K、αc=11.37x10-6/K |
| 融点 | 1810±25℃ |
| 発振波長 | 914nm、1064nm、1342nm |
| 熱光学 係数 | dna/dT=8.5x10-6/K、dnc/dT=3.0x10-6/K |
| 誘導放出 断面 | 25.0x10-19 cm2、@1064 nm |
| 蛍光 一生 | 90 ms (2 atm% Nd ドープの場合は約 50 ms) @808nm |
| 吸収係数 | 31.4 cm-1 @ 808 nm |
| 吸収長 | 0.32 mm @ 808 nm |
| 固有の損失 | 0.1% cm-1 以下、@1064 nm |
| ゲイン帯域幅 | 0.96 nm (257 GHz) @ 1064 nm |
| 偏光レーザー 放出 | 光軸（c軸）に平行 |
| ダイオード励起 光から光へ 効率 | > 60% |
| セルマイヤー方程式 (純粋な YVO4 結晶の場合) | no2(λ) =3.77834+0.069736/(λ2 - 0.04724) - 0.0108133λ2 |
| no2(λ) =4.59905+0.110534/(λ2 - 0.04813) - 0.0122676λ2 |
技術的パラメータ
| Ndドーパント濃度 | 0.2～3atm% |
| ドーパント耐性 | 濃度10％以内 |
| 長さ | 0.02～20mm |
| 塗装仕様 | AR @ 1064nm、R< 0.1% & HT @ 808nm、T>95% |
| HR @ 1064nm、R>99.8% & HT@ 808nm、T>9% | |
| HR @ 1064nm、R>99.8%、HR @ 532 nm、R>99% & HT @ 808 nm、T>95% | |
| 向き | a-カット結晶方向(+/-5℃) |
| 寸法許容差 | +/-0.1mm(代表値)、ご要望に応じて高精度+/-0.005mmも可能です。 |
| 波面歪み | 633nmで<λ/8 |
| 表面品質 | MIL-O-1380A に基づく 20/10 スクラッチ/ディグよりも優れています |
| 平行度 | < 10 秒角 |
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