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レーザー測距および速度測距用の光検出器
InGaAs 材料のスペクトル範囲は 900 ～ 1700nm で、増倍ノイズはゲルマニウム材料よりも低くなります。一般に、ヘテロ構造ダイオードの増倍領域として使用されます。高速光ファイバー通信に適した材料であり、市販品では10Gbit/s以上の速度に達しています。
製品
Si&InGaAs、PIN&APD、波長:400-1100nm、900-1700nm。(レーザー測距、速度測定、角度測定、光電検出および光電対策システムに適しています。)