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レーザー測距および速度測距用光検出器
InGaAs材料のスペクトル範囲は900~1700nmで、増倍ノイズはゲルマニウム材料よりも低いため、ヘテロ構造ダイオードの増倍領域として広く用いられています。この材料は高速光ファイバ通信に適しており、市販製品では10Gbit/s以上の速度を実現しています。
Si&InGaAs、PIN&APD、波長:400〜1100nm、900〜1700nm。(レーザー測距、速度測定、角度測定、光電検出、光電対抗システムに適しています。)
InGaAs材料のスペクトル範囲は900~1700nmで、増倍ノイズはゲルマニウム材料よりも低いため、ヘテロ構造ダイオードの増倍領域として広く用いられています。この材料は高速光ファイバ通信に適しており、市販製品では10Gbit/s以上の速度を実現しています。